IPP100N08N3 G的供应商，IPP100N08N3 G规格参数，IPP100N08N3 G的PDF资料

IPP100N08N3 G /MOSFET N-Ch 80V 70A TO220-3 OptiMOS 3

IPP100N08N3 G的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:80 V

Id-连续漏极电流:70 A

Rds On-漏源导通电阻:8.4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:35 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:100 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Tube

高度:15.65 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.4 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:30 S

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:46 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:22 ns

典型接通延迟时间:14 ns

零件号别名:IPP100N08N3GXKSA1 IPP1N8N3GXK SP000680856

单位重量:6 g

IPP100N08N3 G

IPP100N08N3 G的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市威雅利发展有限公司	IPP100N08N3 G	华强北路1019号华强广场A16楼	18124047120 18124047120	韩雪	询价
深圳市芯幂科技有限公司	IPP100N08N3 G	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	IPP100N08N3 G	www.nowchip.com	0755-27381274 18098996457	董先生	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	IPP100N08N3 G	华强广场C座18J	0755-27381274 18098996457	董先生	询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司	IPP100N08N3 G	深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C	实-单-专-线V+18938047708 18938047708/18938048779	林炜东，林俊源	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	IPP100N08N3 G	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IPP100N08N3 G	深圳市福田区中航路都会轩2406	0755-82573210 18124040553	杨丹妮	询价
深圳市坤融电子有限公司	IPP100N08N3 G	航都大厦10I	0755-23990975 13926529829，17318082080	肖瑶，树平	询价
集好芯城	IPP100N08N3 G	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-82564006 18188616613	郑小姐	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	IPP100N08N3 G	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈晓玲	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	IPP100N08N3 G	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
集好芯城	IPP100N08N3 G	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	IPP100N08N3 G	深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋603	0755-82777855,0755-82702619 13510175077	刘先生,李小姐	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	IPP100N08N3 G	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市博浩通科技有限公司	IPP100N08N3 G	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
万三科技（深圳）有限公司	IPP100N08N3 G	深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园609	0755-21006672 18188642307	王小康	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	IPP100N08N3 G	深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19	19854773352 19854773352	罗先生	询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司	IPP100N08N3 G	深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼210	0755-83230201 19147724283，19147721680	王小姐，刘先生	询价
深圳市凌特半导体科技有限公司	IPP100N08N3 G	广东省深圳市华康大夏2栋210-219室	0755-82714723 13923432237	谢先生	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	IPP100N08N3 G	深圳市福田区华强北上步工业区501栋518	0755-82815082 13049883113	赵小姐	询价

IPP100N08N3 G及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
IPP100N08N3 G	MOSFET N-Ch 80V 70A TO220-3 OptiMOS 3	Infineon Technologies		1016.66 Kbytes	共11页		无
IPP100N08N3 G	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：3.5V @ 46uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 46A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W(Tc) 类型：N沟道	Infineon(英飞凌)		1010.21 Kbytes	共11页		无

IPP100N08N3 G的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Arrow(艾睿)	IPP100N08N3 G	Infineon	FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品半导体 MOSFET N-KANAL POWER MOS	1000+:￥4.641+:￥8.61 10+:￥6.9 100+:￥5.3 500+:￥4.6899 1000+:￥4.58 2500+:￥4.21 10000+:￥4.1 25000+:￥4.0101 50000+:￥4.045+:￥3.95 50+:￥3.64 100+:￥3.53 200+:￥3.391+:￥4.9
ChipOneStop	IPP100N08N3 G	Infineon	FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品半导体 MOSFET N-KANAL POWER MOS	1000+:￥4.641+:￥8.61 10+:￥6.9 100+:￥5.3 500+:￥4.6899 1000+:￥4.58 2500+:￥4.21 10000+:￥4.1 25000+:￥4.0101 50000+:￥4.045+:￥3.95 50+:￥3.64 100+:￥3.53 200+:￥3.39
Digi-Key 得捷电子	IPP100N08N3 G	Infineon	FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品半导体 MOSFET N-KANAL POWER MOS	1000+:￥4.64
Mouser 贸泽电子	IPP100N08N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 80V 70A TO220-3 OptiMOS 3	1:¥11.8311 10:¥10.0683 100:¥8.0682 500:¥7.0625 1,000:¥5.8534
Mouser 贸泽电子	IPP100N08N3 G	Infineon	FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品半导体 MOSFET N-KANAL POWER MOS	1000+:￥4.641+:￥8.61 10+:￥6.9 100+:￥5.3 500+:￥4.6899 1000+:￥4.58 2500+:￥4.21 10000+:￥4.1 25000+:￥4.0101 50000+:￥4.04
立创商城	IPP100N08N3 G	Infineon(英飞凌)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：3.5V @ 46uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 46A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥12.71 200+:￥4.92 500+:￥4.75 1000+:￥4.66

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